RI82 flat (chip-style) high-voltage resistors

플랫 세라믹 본체, 0.25 W~100 W, 최대 60 kV

0.25–100 W · 최대 4–60 kV

RI82 flat (chip-style) high-voltage resistors — RI82 flat

RI82 플랫형 — 알루미나 기판 위 지그재그 저항체

96% 알루미나 기판 위에 지그재그 글레이즈 저항체를 형성한 플랫형 고전압 저항. 납작한 형상으로 기판 높이를 낮추고 넓은 표면적으로 열을 효율적으로 방출하여, 동급 원형 저항보다 훨씬 작은 부피로 0.25 W~100 W를 커버합니다. 본체 길이 10 mm~182 mm, 내전압 최대 60 kV, 리드 피치는 형명별로 규정.

재료

	96% Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub> alumina ceramic
	Glass-glaze resistance film
	Tinned copper
	Resin
	Air (see notes — rating improves substantially when oil-immersed or resin-potted)

밀봉: 수지.

정격 관련 참고

정격 전압과 최대 사용 전압이 모두 주어지면 낮은 쪽을 사용하세요.
펄스 피크 전력은 정격 전력의 100배 미만으로 유지하세요.

사양 — RI82 flat

38 가지 본체 크기. 수치는 제조사 공표값을 그대로 전재.

형명	전력 (W)	H (mm)	L (mm)	T (mm)	Pitch P (mm)	Lead L (mm)	Lead Ø (mm)	저항 범위	내전압 (Vr)	허용 오차	온도 계수
RI82-0309	0.25	4	10	2	8	12	0.5	1K–100G	5,000	F G J K	±5–±200
RI82-0312	0.25	4	13	2	10	12	0.5	1K–100G	6,000	F G J K	±5–±200
RI82-0314	0.25	4	15	2	12.6	12	0.5	1K–100G	6,000	F G J K	±5–±200
RI82-0407	0.25	5.5	8	2	6	12	0.5	1K–100G	4,000	F G J K	±5–±200
RI82-0317	0.5	4	18	2	15	15	0.5	1K–100G	7,000	F G J K	±5–±200
RI82-0319	0.5	4	20	2	17.8	15	0.5	1K–100G	7,000	F G J K	±5–±200
RI82-0322	0.5	4	23	2	20	15	0.5	1K–100G	8,000	F G J K	±5–±200
RI82-0510	0.5	7	11	2	8	15	0.5	1K–100G	5,000	F G J K	±5–±200
RI82-0515	0.5	7	16	2	13	15	0.5	1K–100G	6,000	F G J K	±5–±200
RI82-0609	0.5	8	10	2	7.62	15	0.5	1K–100G	4,000	F G J K	±5–±200
RI82-0415	0.5	6	16	2	13.5	15	0.5	1K–100G	6,000	F G J K	±5–±200
RI82-0518	1	7	19	2.5	16	15	0.5	1K–100G	7,000	F G J K	±5–±200
RI82-0522	1	7	23	2.5	20.32	15	0.6	1K–100G	10,000	F G J K	±5–±200
RI82-0525	1	7	26	2.5	23	15	0.6	1K–100G	12,000	F G J K	±5–±200
RI82-0540	1.5	7	41	2.5	38	15	0.6	1K–100G	18,000	F G J K	±5–±200
RI82-0628	1.5	8	29	2.5	26	15	0.6	1K–100G	12,000	F G J K	±5–±200
RI82-0726	1.5	9	27	2.5	22.86	18	0.6	1K–100G	12,000	F G J K	±5–±200
RI82-0825	1.5	10	26	2.5	22.86	18	0.6	1K–100G	12,000	F G J K	±5–±200
RI82-1020	2	12	21	2.5	17	18	0.6	1K–100G	8,000	F G J K	±5–±200
RI82-0830	2	10	31	2.5	27.94	18	0.6	1K–100G	15,000	F G J K	±5–±200
RI82-1025	2	12	26	2.5	23	18	0.6	1K–100G	12,000	F G J K	±5–±200
RI82-0833	2	10	34	2.5	30	18	0.6	1K–100G	15,000	F G J K	±5–±200
RI82-0840	2	10	41	2.5	37	18	0.6	1K–100G	18,000	F G J K	±5–±200
RI82-0550	3	7	51	2.5	47	18	0.6	1K–100G	20,000	F G J K	±5–±200
RI82-0852	3	10	53	2.5	49.5	18	0.6	1K–100G	20,000	F G J K	±5–±200
RI82-0930	3	11	31	2.5	27.94	18	0.6	1K–100G	15,000	F G J K	±5–±200
RI82-1030	3	12	31	2.5	27.94	22	0.6	1K–100G	15,000	F G J K	±5–±200
RI82-1538	5	17	39	2.5	35	22	0.6	1K–100G	18,000	F G J K	±5–±200
RI82-1542	5	17	43	2.5	38	22	0.6	1K–100G	20,000	F G J K	±5–±200
RI82-1050	5	12	51	2.5	47	22	0.6	1K–100G	20,000	F G J K	±5–±200
RI82-1550	8	17	51	2.5	47	22	0.6	1K–100G	20,000	F G J K	±5–±200
RI82-2075	10	22	76	2.5	72	22	0.6	1K–100G	25,000	F G J K	±5–±200
RI82-2090	15	22	92	2.5	87	22	0.6	1K–100G	30,000	F G J K	±5–±200
RI82-25100	20	27	102	2.5	97	22	0.6	1K–100G	30,000	F G J K	±5–±200
RI82-30100	25	32	102	2.5	97	22	0.6	1K–100G	30,000	F G J K	±5–±200
RI82-35120	30	37	122	2.5	117	22	0.6	1K–100G	35,000	F G J K	±5–±200
RI82-40150	50	42	152	2.5	147	22	0.6	1K–100G	40,000	F G J K	±5–±200
RI82-60180	100	62	182	2.5	177	22	0.6	1K–100G	60,000	F G J K	±5–±200

형명 예: RI82FA0510T. 허용 오차 코드 F = 1%, G = 2%, J = 5%, K = 10%.

성능 시험

시험 항목·요구사항·방법은 제조사 사양 기준입니다.

시험 항목	성능 요구	시험 방법
납땜성	Infiltration area ≥ 95%	Solder bath 235 ± 5 °C, 2 s
단자 강도	ΔR ≤ ±(1%R + 0.05Ω)	10 N, 30 s
정상 상태 습열	ΔR ≤ ±(5%R + 0.1Ω)	40 ± 2 °C, 93 ± 3%RH, 1000 h
진동	ΔR ≤ ±(1%R + 0.05Ω)	10–500 Hz, 0.75 mm or 98 m/s², 6 h
납땜 내열성	ΔR ≤ ±(1%R + 0.05Ω)	260 ± 5 °C, 10 ± 1 s
급격한 온도 변화	ΔR ≤ ±(1%R + 0.05Ω)	−55 °C 30 min / 125 °C 30 min, 5 cycles
70 ℃ 내구성	ΔR ≤ ±(5%R + 0.1Ω)	70 ± 2 °C, rated power, 1000 h
단시간 과부하	ΔR ≤ ±(1%R + 0.05Ω)	1.5 V_R, 5 s

데이터시트는 제조사 사양에서 전체 전재. XYTH Electronics는 독립 유통사로서 본 시리즈를 공급하며, 모든 상표는 식별 목적으로만 사용합니다.

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