플랫 고전압 저항 시리즈 — 다양한 본체·코팅·단자
HO-RI82 시리즈는 플랫 고전압 저항 패밀리의 블리더 시장용 모델. 동일한 96% 알루미나 기판과 글레이즈 저항체를 사용하되 본체 크기가 아닌 정격 전력으로 규정하여, 부하 계산에서 0.25 W~100 W를 직접 선정할 수 있습니다. 본체 길이 10 mm~180 mm, 내전압 4 kV~40 kV. 저항 범위 1 Ω~100 GΩ으로 블리더·방전 및 일반 분압 용도에 적합.
재료
| 96% Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub> alumina ceramic | |
| Glass-glaze resistance film | |
| Tinned copper | |
| Resin | |
| Air (see notes — rating improves substantially when oil-immersed or resin-potted) |
밀봉: 수지.
정격 관련 참고
- 내전압은 공기 중 측정값입니다. 트랜스·커패시터 절연유 침지 또는 고급 절연 수지 밀봉 시 3배 이상 향상됩니다.
- 정격 전압과 최대 사용 전압이 모두 주어지면 낮은 쪽을 사용하세요.
- 펄스 피크 전력은 정격 전력의 100배 미만으로 유지하세요.
사양 — HO-RI82
27 가지 본체 크기. 수치는 제조사 공표값을 그대로 전재.
| 형명 | 정격 전력 | 높이 (mm) | 길이 (mm) | 저항 범위 | 내전압 (Vr) | 허용 오차 | 온도 계수 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RI82-0.25 | 0.25 | 4 | 10 | 1R–100G | 4,000 | F G J K | ±100 |
| RI82-0.25 | 0.25 | 4 | 13 | 1R–100G | 5,000 | F G J K | ±100 |
| RI82-0.25 | 0.25 | 4 | 15 | 1R–100G | 7,000 | F G J K | ±100 |
| RI82-0.5 | 0.5 | 5 | 15 | 1R–100G | 7,000 | F G J K | ±100 |
| RI82-0.5 | 0.5 | 4 | 19 | 1R–100G | 8,000 | F G J K | ±100 |
| RI82-0.5 | 0.5 | 4 | 22 | 1R–100G | 10,000 | F G J K | ±100 |
| RI82-1 | 1 | 5 | 25 | 1R–100G | 15,000 | F G J K | ±100 |
| RI82-1.5 | 1.5 | 5 | 40 | 1R–100G | 20,000 | F G J K | ±100 |
| RI82-1.5 | 1.5 | 6 | 27 | 1R–100G | 15,000 | F G J K | ±100 |
| RI82-1.5 | 1.5 | 7 | 26 | 1R–100G | 15,000 | F G J K | ±100 |
| RI82-1.5 | 1.5 | 10 | 20 | 1R–100G | 10,000 | F G J K | ±100 |
| RI82-2 | 2 | 8 | 30 | 1R–100G | 15,000 | F G J K | ±100 |
| RI82-2 | 2 | 10 | 25 | 1R–100G | 15,000 | F G J K | ±100 |
| RI82-2 | 2 | 8 | 33 | 1R–100G | 15,000 | F G J K | ±100 |
| RI82-2 | 2 | 8 | 40 | 1R–100G | 20,000 | F G J K | ±100 |
| RI82-2 | 2 | 6 | 50 | 1R–100G | 20,000 | F G J K | ±100 |
| RI82-3 | 3 | 8 | 52 | 1R–100G | 20,000 | F G J K | ±100 |
| RI82-3 | 3 | 15 | 38 | 1R–100G | 18,000 | F G J K | ±100 |
| RI82-5 | 5 | 10 | 50 | 1R–100G | 20,000 | F G J K | ±100 |
| RI82-8 | 8 | 15 | 50 | 1R–100G | 20,000 | F G J K | ±100 |
| RI82-10 | 10 | 20 | 75 | 1R–100G | 25,000 | F G J K | ±100 |
| RI82-15 | 15 | 20 | 90 | 1R–100G | 30,000 | F G J K | ±100 |
| RI82-20 | 20 | 25 | 100 | 1R–100G | 30,000 | F G J K | ±100 |
| RI82-25 | 25 | 30 | 100 | 1R–100G | 30,000 | F G J K | ±100 |
| RI82-30 | 30 | 35 | 120 | 1R–100G | 35,000 | F G J K | ±100 |
| RI82-50 | 50 | 40 | 150 | 1R–100G | 40,000 | F G J K | ±100 |
| RI82-100 | 100 | 60 | 180 | 1R–100G | 40,000 | F G J K | ±100 |
허용 오차 코드 F = 1%, G = 2%, J = 5%, K = 10%.
성능 시험
시험 항목·요구사항·방법은 제조사 사양 기준입니다.
| 시험 항목 | 성능 요구 | 시험 방법 |
|---|---|---|
| 납땜성 | Infiltration area ≥ 95% | Solder bath 235 ± 5 °C, 2 s |
| 단자 강도 | ΔR ≤ ±(1%R + 0.05Ω) | 10 N, 30 s |
| 정상 상태 습열 | ΔR ≤ ±(5%R + 0.1Ω) | 40 ± 2 °C, 93 ± 3%RH, 1000 h |
| 진동 | ΔR ≤ ±(1%R + 0.05Ω) | 10–500 Hz, 0.75 mm or 98 m/s², 6 h |
| 납땜 내열성 | ΔR ≤ ±(1%R + 0.05Ω) | 260 ± 5 °C, 10 ± 1 s |
| 급격한 온도 변화 | ΔR ≤ ±(1%R + 0.05Ω) | −55 °C 30 min / 125 °C 30 min, 5 cycles |
| 70 ℃ 내구성 | ΔR ≤ ±(5%R + 0.1Ω) | 70 ± 2 °C, rated power, 1000 h |
| 단시간 과부하 | ΔR ≤ ±(1%R + 0.05Ω) | 1.5 VR, 5 s |
데이터시트는 제조사 사양에서 전체 전재. XYTH Electronics는 독립 유통사로서 본 시리즈를 공급하며, 모든 상표는 식별 목적으로만 사용합니다.
