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RI82 flat (chip-style) high-voltage resistors

フラットセラミック体、0.25 W〜100 W、最大60 kV

0.25–100 W · 最大 4–60 kV

RI82フラット型 — アルミナ基板上のジグザグ抵抗体

96%アルミナ基板上にジグザグのグレーズ抵抗体を形成したフラット型高電圧抵抗。扁平形状で基板高さを抑え、大きな表面積で効率よく放熱するため、同等の丸形抵抗よりはるかに小さい体積で0.25 W〜100 Wをカバー。本体長10 mm〜182 mm、耐電圧最大60 kV、リードピッチは形名ごとに規定。

材料

96% Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub> alumina ceramic
Glass-glaze resistance film
Tinned copper
Resin
Air (see notes — rating improves substantially when oil-immersed or resin-potted)

封止:樹脂。

定格に関する注意

  • 定格電圧と最大使用電圧の両方が示される場合は、低い方を使用ください。
  • パルスピーク電力は定格電力の100倍未満に保ってください。

仕様 — RI82 flat

38 種の本体サイズ。数値はメーカー公表値を完全に転載。

形名電力 (W)H (mm)L (mm)T (mm)Pitch P (mm)Lead L (mm)Lead &Oslash; (mm)抵抗値範囲耐電圧 (Vr)許容差温度係数
RI82-03090.2541028120.51K–100G5,000F G J K±5–±200
RI82-03120.25413210120.51K–100G6,000F G J K±5–±200
RI82-03140.25415212.6120.51K–100G6,000F G J K±5–±200
RI82-04070.255.5826120.51K–100G4,000F G J K±5–±200
RI82-03170.5418215150.51K–100G7,000F G J K±5–±200
RI82-03190.5420217.8150.51K–100G7,000F G J K±5–±200
RI82-03220.5423220150.51K–100G8,000F G J K±5–±200
RI82-05100.571128150.51K–100G5,000F G J K±5–±200
RI82-05150.5716213150.51K–100G6,000F G J K±5–±200
RI82-06090.581027.62150.51K–100G4,000F G J K±5–±200
RI82-04150.5616213.5150.51K–100G6,000F G J K±5–±200
RI82-051817192.516150.51K–100G7,000F G J K±5–±200
RI82-052217232.520.32150.61K–100G10,000F G J K±5–±200
RI82-052517262.523150.61K–100G12,000F G J K±5–±200
RI82-05401.57412.538150.61K–100G18,000F G J K±5–±200
RI82-06281.58292.526150.61K–100G12,000F G J K±5–±200
RI82-07261.59272.522.86180.61K–100G12,000F G J K±5–±200
RI82-08251.510262.522.86180.61K–100G12,000F G J K±5–±200
RI82-1020212212.517180.61K–100G8,000F G J K±5–±200
RI82-0830210312.527.94180.61K–100G15,000F G J K±5–±200
RI82-1025212262.523180.61K–100G12,000F G J K±5–±200
RI82-0833210342.530180.61K–100G15,000F G J K±5–±200
RI82-0840210412.537180.61K–100G18,000F G J K±5–±200
RI82-055037512.547180.61K–100G20,000F G J K±5–±200
RI82-0852310532.549.5180.61K–100G20,000F G J K±5–±200
RI82-0930311312.527.94180.61K–100G15,000F G J K±5–±200
RI82-1030312312.527.94220.61K–100G15,000F G J K±5–±200
RI82-1538517392.535220.61K–100G18,000F G J K±5–±200
RI82-1542517432.538220.61K–100G20,000F G J K±5–±200
RI82-1050512512.547220.61K–100G20,000F G J K±5–±200
RI82-1550817512.547220.61K–100G20,000F G J K±5–±200
RI82-20751022762.572220.61K–100G25,000F G J K±5–±200
RI82-20901522922.587220.61K–100G30,000F G J K±5–±200
RI82-2510020271022.597220.61K–100G30,000F G J K±5–±200
RI82-3010025321022.597220.61K–100G30,000F G J K±5–±200
RI82-3512030371222.5117220.61K–100G35,000F G J K±5–±200
RI82-4015050421522.5147220.61K–100G40,000F G J K±5–±200
RI82-60180100621822.5177220.61K–100G60,000F G J K±5–±200

形名の例:RI82FA0510T。許容差コード F = 1%、G = 2%、J = 5%、K = 10%。

性能試験

試験項目・要求・方法はメーカー仕様に基づきます。

試験項目性能要求試験方法
はんだ付け性Infiltration area ≥ 95%Solder bath 235 ± 5 °C, 2 s
端子強度ΔR ≤ ±(1%R + 0.05Ω)10 N, 30 s
定常湿熱ΔR ≤ ±(5%R + 0.1Ω)40 ± 2 °C, 93 ± 3%RH, 1000 h
振動ΔR ≤ ±(1%R + 0.05Ω)10–500 Hz, 0.75 mm or 98 m/s², 6 h
はんだ耐熱性ΔR ≤ ±(1%R + 0.05Ω)260 ± 5 °C, 10 ± 1 s
急激な温度変化ΔR ≤ ±(1%R + 0.05Ω)−55 °C 30 min / 125 °C 30 min, 5 cycles
70 ℃ 耐久性ΔR ≤ ±(5%R + 0.1Ω)70 ± 2 °C, rated power, 1000 h
短時間過負荷ΔR ≤ ±(1%R + 0.05Ω)1.5 VR, 5 s

データシートはメーカー仕様から完全に転載。XYTH Electronicsは独立系ディストリビューターとして本シリーズを供給し、商標は識別目的のみに使用します。

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