フラット高電圧抵抗シリーズ — 各種本体・被覆・端子
HO-RI82シリーズはフラット高電圧抵抗ファミリーのブリーダー向けモデル。同じ96%アルミナ基体とグレーズ抵抗体を用い、本体サイズではなく定格電力で規定するため、負荷計算から0.25 W〜100 Wを直接選定できます。本体長10 mm〜180 mm、耐電圧4 kV〜40 kV。抵抗値1 Ω〜100 GΩで、ブリーダー・放電用途のほか一般分圧にも対応。
材料
| 96% Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub> alumina ceramic | |
| Glass-glaze resistance film | |
| Tinned copper | |
| Resin | |
| Air (see notes — rating improves substantially when oil-immersed or resin-potted) |
封止：樹脂。
定格に関する注意
- 耐電圧は空気中での測定値です。トランス・コンデンサ絶縁油に浸漬、または高級絶縁樹脂に封止すると3倍以上に向上します。
- 定格電圧と最大使用電圧の両方が示される場合は、低い方を使用ください。
- パルスピーク電力は定格電力の100倍未満に保ってください。
仕様 — HO-RI82
27 種の本体サイズ。数値はメーカー公表値を完全に転載。
| 形名 | 定格電力 | 高さ (mm) | 長さ (mm) | 抵抗値範囲 | 耐電圧 (Vr) | 許容差 | 温度係数 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RI82-0.25 | 0.25 | 4 | 10 | 1R–100G | 4,000 | F G J K | ±100 |
| RI82-0.25 | 0.25 | 4 | 13 | 1R–100G | 5,000 | F G J K | ±100 |
| RI82-0.25 | 0.25 | 4 | 15 | 1R–100G | 7,000 | F G J K | ±100 |
| RI82-0.5 | 0.5 | 5 | 15 | 1R–100G | 7,000 | F G J K | ±100 |
| RI82-0.5 | 0.5 | 4 | 19 | 1R–100G | 8,000 | F G J K | ±100 |
| RI82-0.5 | 0.5 | 4 | 22 | 1R–100G | 10,000 | F G J K | ±100 |
| RI82-1 | 1 | 5 | 25 | 1R–100G | 15,000 | F G J K | ±100 |
| RI82-1.5 | 1.5 | 5 | 40 | 1R–100G | 20,000 | F G J K | ±100 |
| RI82-1.5 | 1.5 | 6 | 27 | 1R–100G | 15,000 | F G J K | ±100 |
| RI82-1.5 | 1.5 | 7 | 26 | 1R–100G | 15,000 | F G J K | ±100 |
| RI82-1.5 | 1.5 | 10 | 20 | 1R–100G | 10,000 | F G J K | ±100 |
| RI82-2 | 2 | 8 | 30 | 1R–100G | 15,000 | F G J K | ±100 |
| RI82-2 | 2 | 10 | 25 | 1R–100G | 15,000 | F G J K | ±100 |
| RI82-2 | 2 | 8 | 33 | 1R–100G | 15,000 | F G J K | ±100 |
| RI82-2 | 2 | 8 | 40 | 1R–100G | 20,000 | F G J K | ±100 |
| RI82-2 | 2 | 6 | 50 | 1R–100G | 20,000 | F G J K | ±100 |
| RI82-3 | 3 | 8 | 52 | 1R–100G | 20,000 | F G J K | ±100 |
| RI82-3 | 3 | 15 | 38 | 1R–100G | 18,000 | F G J K | ±100 |
| RI82-5 | 5 | 10 | 50 | 1R–100G | 20,000 | F G J K | ±100 |
| RI82-8 | 8 | 15 | 50 | 1R–100G | 20,000 | F G J K | ±100 |
| RI82-10 | 10 | 20 | 75 | 1R–100G | 25,000 | F G J K | ±100 |
| RI82-15 | 15 | 20 | 90 | 1R–100G | 30,000 | F G J K | ±100 |
| RI82-20 | 20 | 25 | 100 | 1R–100G | 30,000 | F G J K | ±100 |
| RI82-25 | 25 | 30 | 100 | 1R–100G | 30,000 | F G J K | ±100 |
| RI82-30 | 30 | 35 | 120 | 1R–100G | 35,000 | F G J K | ±100 |
| RI82-50 | 50 | 40 | 150 | 1R–100G | 40,000 | F G J K | ±100 |
| RI82-100 | 100 | 60 | 180 | 1R–100G | 40,000 | F G J K | ±100 |
許容差コード F = 1%、G = 2%、J = 5%、K = 10%。
性能試験
試験項目・要求・方法はメーカー仕様に基づきます。
| 試験項目 | 性能要求 | 試験方法 |
|---|---|---|
| はんだ付け性 | Infiltration area ≥ 95% | Solder bath 235 ± 5 °C, 2 s |
| 端子強度 | ΔR ≤ ±(1%R + 0.05Ω) | 10 N, 30 s |
| 定常湿熱 | ΔR ≤ ±(5%R + 0.1Ω) | 40 ± 2 °C, 93 ± 3%RH, 1000 h |
| 振動 | ΔR ≤ ±(1%R + 0.05Ω) | 10–500 Hz, 0.75 mm or 98 m/s², 6 h |
| はんだ耐熱性 | ΔR ≤ ±(1%R + 0.05Ω) | 260 ± 5 °C, 10 ± 1 s |
| 急激な温度変化 | ΔR ≤ ±(1%R + 0.05Ω) | −55 °C 30 min / 125 °C 30 min, 5 cycles |
| 70 ℃ 耐久性 | ΔR ≤ ±(5%R + 0.1Ω) | 70 ± 2 °C, rated power, 1000 h |
| 短時間過負荷 | ΔR ≤ ±(1%R + 0.05Ω) | 1.5 VR, 5 s |
データシートはメーカー仕様から完全に転載。XYTH Electronicsは独立系ディストリビューターとして本シリーズを供給し、商標は識別目的のみに使用します。
