HO-RI82 high-voltage bleeder resistors
Flacher Ableittyp, 0,25 W bis 100 W, bis 40 kV
0.25–100 W · bis zu 4–40 kV
Flache Hochspannungswiderstände — verschiedene Körper, Beschichtungen und Anschlüsse
Die HO-RI82-Serie ist die Ableit-Variante der flachen Hochspannungsfamilie: dasselbe 96%-Aluminiumoxid-Substrat und Glasurelement, nach Nennleistung statt Körpergröße spezifiziert, sodass sich 0,25 W bis 100 W direkt aus der Lastberechnung wählen lassen. Körperlängen 10 mm bis 180 mm, Spannungsfestigkeit 4 kV bis 40 kV. Widerstandsbereich 1 Ω bis 100 GΩ — geeignet für Ableit- und Entladebetrieb sowie allgemeine Spannungsteilung.
Materialien
| 96% Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub> alumina ceramic | |
| Glass-glaze resistance film | |
| Tinned copper | |
| Resin | |
| Air (see notes — rating improves substantially when oil-immersed or resin-potted) |
Verguss: Harz.
Hinweise zu Nennwerten
- Spannungsfestigkeit an Luft gemessen. In Trafo- oder Kondensator-Isolieröl bzw. hochwertigem Isolierharz steigt sie um mehr als das Dreifache.
- Sind Nenn- und maximale Betriebsspannung angegeben, gilt der niedrigere Wert.
- Die Impulsspitzenleistung muss unter dem 100-fachen der Nennleistung bleiben.
Spezifikation — HO-RI82
27 Baugrößen. Die Werte sind die Herstellerangaben, vollständig übernommen.
| Typ | Nennleistung | Höhe (mm) | Länge (mm) | Widerstandsbereich | Spannungsfestigkeit (Vr) | Toleranz | TK |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RI82-0.25 | 0.25 | 4 | 10 | 1R–100G | 4,000 | F G J K | ±100 |
| RI82-0.25 | 0.25 | 4 | 13 | 1R–100G | 5,000 | F G J K | ±100 |
| RI82-0.25 | 0.25 | 4 | 15 | 1R–100G | 7,000 | F G J K | ±100 |
| RI82-0.5 | 0.5 | 5 | 15 | 1R–100G | 7,000 | F G J K | ±100 |
| RI82-0.5 | 0.5 | 4 | 19 | 1R–100G | 8,000 | F G J K | ±100 |
| RI82-0.5 | 0.5 | 4 | 22 | 1R–100G | 10,000 | F G J K | ±100 |
| RI82-1 | 1 | 5 | 25 | 1R–100G | 15,000 | F G J K | ±100 |
| RI82-1.5 | 1.5 | 5 | 40 | 1R–100G | 20,000 | F G J K | ±100 |
| RI82-1.5 | 1.5 | 6 | 27 | 1R–100G | 15,000 | F G J K | ±100 |
| RI82-1.5 | 1.5 | 7 | 26 | 1R–100G | 15,000 | F G J K | ±100 |
| RI82-1.5 | 1.5 | 10 | 20 | 1R–100G | 10,000 | F G J K | ±100 |
| RI82-2 | 2 | 8 | 30 | 1R–100G | 15,000 | F G J K | ±100 |
| RI82-2 | 2 | 10 | 25 | 1R–100G | 15,000 | F G J K | ±100 |
| RI82-2 | 2 | 8 | 33 | 1R–100G | 15,000 | F G J K | ±100 |
| RI82-2 | 2 | 8 | 40 | 1R–100G | 20,000 | F G J K | ±100 |
| RI82-2 | 2 | 6 | 50 | 1R–100G | 20,000 | F G J K | ±100 |
| RI82-3 | 3 | 8 | 52 | 1R–100G | 20,000 | F G J K | ±100 |
| RI82-3 | 3 | 15 | 38 | 1R–100G | 18,000 | F G J K | ±100 |
| RI82-5 | 5 | 10 | 50 | 1R–100G | 20,000 | F G J K | ±100 |
| RI82-8 | 8 | 15 | 50 | 1R–100G | 20,000 | F G J K | ±100 |
| RI82-10 | 10 | 20 | 75 | 1R–100G | 25,000 | F G J K | ±100 |
| RI82-15 | 15 | 20 | 90 | 1R–100G | 30,000 | F G J K | ±100 |
| RI82-20 | 20 | 25 | 100 | 1R–100G | 30,000 | F G J K | ±100 |
| RI82-25 | 25 | 30 | 100 | 1R–100G | 30,000 | F G J K | ±100 |
| RI82-30 | 30 | 35 | 120 | 1R–100G | 35,000 | F G J K | ±100 |
| RI82-50 | 50 | 40 | 150 | 1R–100G | 40,000 | F G J K | ±100 |
| RI82-100 | 100 | 60 | 180 | 1R–100G | 40,000 | F G J K | ±100 |
Toleranzcodes F = 1 %, G = 2 %, J = 5 %, K = 10 %.
Prüfungen
Prüfpositionen, Anforderungen und Verfahren aus der Herstellerspezifikation.
| Prüfposition | Anforderung | Prüfverfahren |
|---|---|---|
| Lötbarkeit | Infiltration area ≥ 95% | Solder bath 235 ± 5 °C, 2 s |
| Anschlussfestigkeit | ΔR ≤ ±(1%R + 0.05Ω) | 10 N, 30 s |
| Feuchte Wärme, stationär | ΔR ≤ ±(5%R + 0.1Ω) | 40 ± 2 °C, 93 ± 3%RH, 1000 h |
| Vibration | ΔR ≤ ±(1%R + 0.05Ω) | 10–500 Hz, 0.75 mm or 98 m/s², 6 h |
| Löthitzebeständigkeit | ΔR ≤ ±(1%R + 0.05Ω) | 260 ± 5 °C, 10 ± 1 s |
| Schneller Temperaturwechsel | ΔR ≤ ±(1%R + 0.05Ω) | −55 °C 30 min / 125 °C 30 min, 5 cycles |
| Dauerbetrieb bei 70 °C | ΔR ≤ ±(5%R + 0.1Ω) | 70 ± 2 °C, rated power, 1000 h |
| Kurzzeitüberlast | ΔR ≤ ±(1%R + 0.05Ω) | 1.5 VR, 5 s |
Datenblatt vollständig aus der Herstellerspezifikation übernommen. XYTH Electronics liefert diese Serien als unabhängiger Distributor; alle Marken dienen nur der Kennzeichnung.
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